Ngày 21/02/2025, Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP.HCM (HCMUTE) phối hợp cùng với Viện Kỹ thuật Điện- Điện tử Hàn Quốc (IKEEE) tổ chức Hội thảo thiết kế mạch và hệ thống lần thứ 7.
Hội thảo thiết kế mạch và hệ thống lần thứ 7
Tham dự Hội thảo có các giáo sư đến từ các trường đại học hàng đầu Hàn Quốc, GS. Jongsun Kim (Đại học Hongik), GS. Yong Moon (Đại học Soongsil), GS. Kyeong-Sik Min (Đại học Kookmin), GS. Jeongjin Roh (Đại học Hanyang), GS. Shiho Kim (Đại học Yonsei).
Tham dự Hội thảo có các giáo sư đến từ các trường đại học hàng đầu Hàn Quốc, cùng với đội ngũ giảng viên và sinh viên của Khoa Điện – Điện tử
Về phía HCMUTE có PGS.TS Châu Đình Thành – Phó Hiệu trưởng, PGS.TS Đỗ Thành Trung – Trưởng Phòng Khoa học Công nghệ, PGS.TS Vũ Văn Phong – Phó Trưởng Phòng Khoa học Công nghệ, PGS.TS Lê Mỹ Hà – Phó Trưởng Khoa, Phụ trách Khoa Điện – Điện tử, PGS.TS Lê Chí Kiên – Phó Trưởng Khoa Điện – Điện tử, PGS.TS Trương Ngọc Sơn – Trưởng ngành, PGS.TS Võ Minh Huân – Giảng viên Khoa Điện – Điện tử cùng với đội ngũ giảng viên, học viên cao học, nghiên cứu sinh và sinh viên của Khoa Điện – Điện tử, tạo nên một diễn đàn học thuật sôi nổi và giàu giá trị chuyên môn.
PGS. TS. Vũ Văn Phong – Phó Trưởng Phòng Khoa học Công nghệ phát biểu tại hội thảo
Hội thảo tập trung vào các công nghệ tiên tiến trong thiết kế vi mạch với 10 bài báo cáo khoa học chuyên sâu được trình bày từ các chuyên gia từ trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP.HCM và các chuyên gia Hàn Quốc
GS. Kyeong-Sik Min đến từ Đại học Kookmin, Hàn Quốc trình bày báo cáo
GS. Jeongjin Roh (Đại học Hanyang, Hàn Quốc) mở đầu với nghiên cứu “Thiết kế chip cảm biến công suất thấp cho hệ thống IoT”, đề xuất cảm biến tiêu thụ điện năng thấp dựa trên bộ điều chỉnh điện áp thả thấp (LDO) và bộ chuyển đổi sigma-delta liên tục (CTDSM), giúp kéo dài tuổi thọ pin và nâng cao hiệu suất trong chăm sóc sức khỏe, tự động hóa và công nghiệp.
Tiếp nối, GS. Kyeong-Sik Min (Đại học Kookmin, Hàn Quốc) trình bày “Công nghệ mảng điện trở nhớ cho học cục bộ, xử lý dựa theo sự kiện của cảm biến IoT và tính toán trong bộ nhớ”, đề xuất phương pháp giảm tiêu thụ năng lượng bằng thuật toán học cục bộ thay vì lan truyền ngược (backpropagation), đồng thời ứng dụng vào cảm biến trong các hệ thống IoT và các hệ thống mô phỏng hệ thần kinh.
Về điện toán lượng tử, GS. Shiho Kim (Đại học Yonsei, Hàn Quốc) giới thiệu báo cáo “Ứng dụng của điện toán lượng tử và thách thức kỹ thuật trong kỷ nguyên NISQ”, phân tích những hạn chế của máy tính lượng tử hiện tại và triển vọng ứng dụng trong AI, mô phỏng hóa học và tối ưu hóa logistics.
Trong lĩnh vực viễn thông, GS. Yong Moon (Đại học Soongsil, Hàn Quốc) nghiên cứu “Nghiên cứu bộ tổng hợp tần số cho băng tần IEEE 802.11ah”, đề xuất hệ thống tổng hợp tần số Integer-N PLL, giúp tối ưu hiệu suất truyền dữ liệu trên băng tần dưới 1GHz, mở ra ứng dụng rộng rãi trong IoT và thành phố thông minh.
Đáng chú ý, GS. Jongsun Kim (Đại học Hongik, Hàn Quốc) trình bày nghiên cứu “Thiết kế bộ chuyển đổi DC-DC kỹ thuật số dựa trên GaN”, trong đó ứng dụng công nghệ Gallium Nitride (GaN) để nâng cao hiệu suất chuyển đổi điện năng và giảm tổn hao năng lượng trong thiết bị công suất cao.
PGS.TS Lê Mỹ Hà – Phó Trưởng Khoa, Phụ trách Khoa Điện – Điện tử phát biểu tại hội thảo
Về trí tuệ nhân tạo, PGS. Võ Minh Huân (HCMUTE, Việt Nam) đã trình bày báo cáo “Triển khai mô hình học máy trên nền tảng hệ thống nhúng”, phân tích hiệu suất của ba mô hình CNN, BNN và LSVM + K-Means trong bài toán nhận diện ảnh, với CNN đạt độ chính xác 99%, trong khi BNN và LSVM tối ưu tài nguyên tính toán trên thiết bị nhúng.
Trong lĩnh vực vi mạch, TS. Phạm Văn Khoa (HCMUTE, Việt Nam) giới thiệu nghiên cứu “Thiết kế và đánh giá hiệu suất của SRAM xử lý trong bộ nhớ sử dụng công nghệ CMOS TSMC 90nm”, giúp tăng tốc độ xử lý AI và giảm tiêu thụ năng lượng nhờ kiến trúc bộ nhớ xử lý trong (PIM).
Tiếp theo, TS. Ngô Hải Đăng (HCMUTE, Việt Nam) trình bày báo cáo “Ảnh hưởng của áp suất riêng phần oxy đến màng mỏng oxit niken và hiệu suất diode NiO/Si”, đánh giá tác động của oxy lên cấu trúc tinh thể, tính chất điện và hiệu suất quang học của NiO, mở ra tiềm năng ứng dụng trong vi mạch công suất cao.
Trong lĩnh vực vật liệu bán dẫn, PGS. Đào Vĩnh Ái (HCMUTE, Việt Nam) nghiên cứu “Ảnh hưởng của sự khuếch tán đồng lên lớp kim loại bề mặt và cơ chế hình thành hợp kim Cu-Si trong đóng gói điện tử”, đề xuất giải pháp hạn chế sự xâm nhập của Cu vào silicon, giúp tăng độ tin cậy của thiết bị điện tử.
Cuối cùng, TS. Đỗ Huy Bình (HCMUTE, Việt Nam) trình bày báo cáo “Cảm biến quang học chế tạo từ graphene oxide khử và Ga₂O₃”, phát triển công nghệ cảm biến quang từ vật liệu tái chế pin thải loại, có độ nhạy cao và tiết kiệm chi phí sản xuất.
Với những kết quả đạt được, hội thảo góp phần thúc đẩy đổi mới sáng tạo và phát triển công nghiệp công nghệ cao tại Việt Nam và khu vực. Đồng thời, tiếp tục khẳng định vai trò của HCMUTE trong nghiên cứu và đào tạo lĩnh vực Điện – Điện tử tại Việt Nam. Sự kiện không chỉ mang ý nghĩa học thuật mà còn tạo động lực để thúc đẩy các dự án nghiên cứu hợp tác giữa HCMUTE và các trường đại học hàng đầu Hàn Quốc.
Tin: Hiền Đặng, Thành Nhân
Ảnh: Văn Nguyên